CXMT revendique une DRAM 4F² et un DDR5 RDIMM serveur fin 2026

Le président de CXMT, Cao Kanyu, a annoncé samedi à Shanghai que le fabricant chinois livrerait avant fin 2026 son premier module DDR5 RDIMM pour serveurs, bâti sur une architecture DRAM 4F² inédite. Selon TechNode, l'entreprise revendique plus de 300 familles de brevets autour d'un transistor à grille enveloppante verticale et explore le hybrid bonding pour séparer cellules mémoire et circuits périphériques.

L'argument central est la densité. L'architecture 4F² réduit d'environ 33 % la surface d'une cellule par rapport au standard 6F² encore utilisé, et autoriserait en théorie 50 % de cellules supplémentaires par puce, rapporte le Korea JoongAng Daily. Samsung visait une production de masse de DRAM sub-10 nm avec un design voisin pour 2028, et SK Hynix avait publié sa propre feuille de route 4F² en 2025.

Les marchés n'ont pas attendu. Micron a cédé 3,88 % sur NYSE lundi, l'indice Philadelphia Semiconductor 2,67 %. Mardi à Séoul, Samsung Electronics a reculé de plus de 6 % en séance et SK Hynix de plus de 9 %. CXMT détenait déjà 8 % du chiffre d'affaires DRAM mondial au premier trimestre 2026, soit plus du double un an plus tôt.

Les analystes relativisent toutefois la portée immédiate. 'Even if CXMT manages to develop a 4F² product by year-end, it remains questionable whether the company can produce enough chips to have a meaningful impact on the market,' tempère Chung In-sung, cité par le même quotidien. CXMT n'a diffusé ni vitesse, ni capacité, ni rendement pour son futur RDIMM, laissant fin 2026 comme première échéance publique à laquelle la revendication pourra être confrontée.