CXMT va démarrer HBM3E à 20-30% de rendement, calé sur HBM3

CXMT, premier fabricant chinois de DRAM, s'apprête à lancer une production limitée de HBM3E au cours des deux prochains mois, rapporte Reuters sur la base de deux sources au fait du dossier. Le rendement ne tiendrait qu'entre 20 et 30 % des puces produites, contre environ 70 % pour SK Hynix sur des produits comparables.

Les tests réalisés par des clients ont, par ailleurs, placé le HBM3E chinois "closer to SK Hynix's previous-generation HBM3 than to the South Korean company's HBM3E", selon ces mêmes sources. CXMT aurait envoyé deux versions à des concepteurs chinois de puces IA, dont l'unité T-Head d'Alibaba et Cambricon, pour évaluation préliminaire : un design standard et une révision "intended to improve yields". Les prix de la mémoire chinoise devraient dépasser ceux des équivalents étrangers.

Le contexte réglementaire éclaire le calcul industriel. Washington a durci en décembre 2024 ses contrôles à l'export sur certains HBM avancés destinés à la Chine, ce qui a forcé les fabricants de puces chinois à sourcer la mémoire via des canaux non officiels où le composant peut coûter plusieurs fois son prix de marché. CXMT développerait la technologie en interne depuis 2024.

L'étape marque l'entrée de la Chine dans la mémoire IA à haute bande passante, mais à un rendement d'un quart du standard industriel et avec des performances d'une génération en arrière. SK Hynix vient de verrouiller plus de 50 % de sa production 2027-2028 chez 14 clients, dans un marché mémoire que les Coréens voient tendu jusqu'en 2030, et CXMT à 20-30 % de rendement ne corrige pas cette pénurie à court terme. Toutes les sources citées par Reuters ont demandé l'anonymat parce que "the plans are not public".