Micron poursuit YMTC à Boise pour débauchage et brevets dérivés

Micron a porté plainte le 15 septembre 2026 devant la juridiction de Boise, dans l'Idaho, contre le chinois YMTC. Selon Tom's Hardware, le fabricant américain accuse YMTC d'avoir débauché ses ingénieurs clés, d'avoir siphonné via eux son savoir-faire NAND, puis d'avoir fait breveter des inventions dérivées pour en armer ses propres contentieux contre Micron.

Un détail revient en force dans la plainte: pour partir sans éveiller de questions, les ex-salariés auraient invoqué « a broad range of personal or family reasons » et ne mettaient pas à jour leur profil LinkedIn pour afficher leur nouveau poste chez YMTC. Micron soutient qu'au moins certaines des inventions concernées ont été conçues chez Micron, voire à partir de ses secrets de fabrication, et que les brevets correspondants lui reviennent.

Le dépôt arrive douze jours après un revers lourd en Allemagne. Le 18 septembre, la 7ᵉ chambre civile du tribunal régional de Munich I, présidée par le Dr Oliver Schön, a jugé que Micron contrefaisait deux modèles d'utilité YMTC — DE202020006166U1 sur les « staircase structures in 3D storage devices » et DE202021004551U1 sur les « barrier layers for word-line contacts in 3D NAND memory » — et prononcé des injonctions couvrant les produits concernés sur le marché allemand. Trois autres affaires parallèles ont été ajournées. Micron s'est dit en désaccord avec la décision et a déjà fait appel, tout en contestant la validité des titres dans d'autres procédures.

La bataille, ouverte en novembre 2023, s'étend désormais aux États-Unis, au Royaume-Uni, en Chine, à Munich et à la Juridiction unifiée du brevet. Les procédures américaines de YMTC visaient, en juillet 2026, 27 brevets et 295 revendications. Les modèles d'utilité allemands, enregistrés sans examen de fond et valables jusqu'à dix ans, sont un outil rapide pour décrocher un blocage de vente — ce que Micron doit à présent démonter en appel, dans un contexte où nous suivions déjà la tension durable sur l'offre mémoire côté DRAM.