SK Hynix négocie avec Intel une fab mémoire aux États-Unis

Selon Reuters, SK Hynix et Intel discutent pour la première fois d'un accord permettant au fabricant coréen de mémoire de produire des puces aux États-Unis. Deux montages sont évoqués par les sources citées: SK Hynix louerait une partie de la fab Intel de l'Ohio, ou monterait une coentreprise avec Intel et de grandes entreprises cloud.

Interrogé, SK Hynix indique "reviewing various measures, including establishing additional production bases, to strengthen the competitiveness of its memory business", mais souligne qu'"aucune décision n'a été arrêtée à ce stade". Intel n'a pas commenté sur le fond, qualifiant l'information de spéculation et rappelant ses investissements dans l'Ohio.

La pression vient des deux côtés du Pacifique. En juillet, le président de SK Hynix Chey Tae-won avait déclaré: "I think we need to build a factory in the United States. If possible, I believe we should build it." À Washington, le secrétaire au Commerce Howard Lutnick a menacé de tarifs de 100% les entreprises sud-coréennes qui n'augmenteraient pas leur production locale.

Le premier obstacle est réglementaire. Le ministère sud-coréen du Commerce indique que les technologies mémoire avancées comme la HBM ou la DRAM devraient être examinées au titre de l'Industrial Technology Protection Act, qui les classe comme sensibles pour la sécurité nationale. Le second est économique: selon Reuters, les coûts de fabrication américains dépassent nettement ceux de la Corée, entre main-d'œuvre, construction et chaîne d'approvisionnement.

Aujourd'hui, la seule empreinte industrielle de SK Hynix aux États-Unis reste l'usine de packaging en construction en Indiana, adossée à sa récente cotation ADR sur le Nasdaq. Un accord avec Intel serait le premier front-end mémoire coréen implanté hors de Corée. Le dossier s'inscrit dans une séquence dense de l'actualité chip suivie ces derniers jours.