TSMC prépare la 3D DRAM pour Nvidia face à la pénurie mémoire IA

TSMC aurait commencé à dessiner les plans d'une ligne de 3D DRAM à la demande de Nvidia, son plus gros client, rapporte The Information. La technologie empile verticalement des cellules mémoire pour loger davantage de capacité dans un même encombrement, un format que Nvidia pousse à sécuriser alors que la pénurie de mémoire IA renchérit le coût du matériel.

L'évaluation est menée par Hsu Kuo-chin, vice-président de TSMC en charge du packaging avancé et ancien de Micron. Aucun calendrier de production n'est fixé. Le fondeur pèse l'option de nouvelles fabs ou le rachat et la conversion d'une usine existante, selon The Next Web qui reprend le rapport, tout en répétant publiquement que son cœur de métier demeure la fonderie logique.

Un tel virage placerait TSMC face à Samsung, SK Hynix et Micron, trio qui se partage aujourd'hui la DRAM. Micron anticipe une pénurie liée à l'IA jusqu'en 2028. En octobre, Nvidia aurait déjà demandé aux trois mémoriers de confier à TSMC la gravure en 3 nm de la couche de base de sa HBM maison, signal d'une pression croissante sur les contours historiques de la supply chain.

TSMC et Nvidia n'ont pas répondu aux demandes de commentaire. Les actions de Micron et SK Hynix ont reculé dans la foulée du rapport. L'alerte prolonge une séquence serrée sur l'infrastructure IA côté offre, après les récents mouvements d'approvisionnement chez Kioxia et Micron.